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首頁 - 場效應(yīng)管 -

IRF640NPBF

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作者：網(wǎng)站管理員    發(fā)布時間：2022-05-03    瀏覽次數(shù)：

產(chǎn)品屬性
類型 描述

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 18A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 150 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1160 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
基本產(chǎn)品編號 IRF640



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