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AGM303D1

作者：網站管理員發布時間：2024-06-27 瀏覽次數：

芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 100A，功率(Pd): 75W

●產品概述

AGM303D1將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，提供極低的RDS(ON)。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進高細胞密度溝槽技術 ■低RDS(ON)可最大限度地減少導電損耗低 ■柵極電荷實現快速切換 ■低熱阻

●應用

■MB/GA視頻處理器 ■SMPS第二同步整流器 ■POL應用 ■無刷直流電機驅動器

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芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 100A，功率(Pd): 75W

●產品概述

AGM303D1將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，提供極低的RDS(ON)。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進高細胞密度溝槽技術 ■低RDS(ON)可最大限度地減少導電損耗低 ■柵極電荷實現快速切換 ■低熱阻

●應用

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芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 100A，功率(Pd): 75W

●產品概述

AGM303D1將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，提供極低的RDS(ON)。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進高細胞密度溝槽技術 ■低RDS(ON)可最大限度地減少導電損耗低 ■柵極電荷實現快速切換 ■低熱阻

●應用

■MB/GA視頻處理器 ■SMPS第二同步整流器 ■POL應用 ■無刷直流電機驅動器

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AGM303D1將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，提供極低的RDS(ON)。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。