TOSHIBA(東芝)-SSM3J168F

1.SSM3J168F 應(yīng)用

? 高速開(kāi)關(guān)
? 模擬開(kāi)關(guān)
? 接口

2.SSM3J168F特性

（1）符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)（請(qǐng)參閱可訂購(gòu)的零件編號(hào)列表）
（2） 4.0 V 驅(qū)動(dòng)器
（3）低漏源導(dǎo)通電阻：
RDS（ON） = 1.6 Ω（典型值）（VGS = -4.0 V）
RDS（ON） = 1.4 Ω（典型值）（VGS = -4.5 V）

RDS（ON） = 1.3 Ω （典型值）（VGS = -10 V）

3.SSM3J168F絕對(duì)最大額定值（注）（除非另有說(shuō)明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會(huì)導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。請(qǐng)?jiān)诓榭礀|芝半導(dǎo)體可靠性手冊(cè)（“處理注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和各個(gè)可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測(cè)試報(bào)告和估計(jì)故障率等）后設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴Ｗ?1：確保通道溫度不超過(guò) 150 °C。注 2：安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹(shù)脂板上的器件（銅焊盤(pán)：645 mm2）注：該晶體管對(duì)靜電放電敏感，應(yīng)小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對(duì)靜電放電敏感。處理此設(shè)備時(shí)，應(yīng)保護(hù)工作臺(tái)、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤(pán)面積而變化。使用此設(shè)備時(shí)，請(qǐng)務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J168F靜態(tài)特性（除非另有規(guī)定，Ta = 25 ）

注 1：如果在柵極和源之間施加反向偏置，則該器件進(jìn)入 V（BR）DSX 模式。請(qǐng)注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會(huì)降低。注 2：設(shè) Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導(dǎo)致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對(duì)于正常的開(kāi)關(guān)操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關(guān)系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設(shè)備時(shí)請(qǐng)考慮這一點(diǎn)。注 3：脈沖測(cè)量