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作者：網站管理員 發(fā)布時間：2024-09-18 瀏覽次數(shù)：
Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET設計用于在開關電源下工作。
該系列N溝道MOSFET具有高速開關特性和較低電容。
650V DTMOS-VI超級結MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏電流導通電阻。
這些器件具有10V漏源電壓。
特性
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